Nová technologie IBM a Samsung přinese revoluci do chytrých telefonů a notebooků

Společnosti Samsung a IBM spolupracují na nové architektuře procesoru nazvané VTFET. Umožní zdvojnásobit výkon čipů nebo snížit jejich spotřebu energie až o 85 procent, informovala společnost IBM.

Mnoho uživatelů chytrých telefonů je nepochybně otráveno tím, že musí své zařízení nabíjet každý den, případně každý druhý den. Určitě by chtěli mít telefon, který stačí nabíjet jednou týdně, ale moderní technologie baterií to neumožňují.

Společnost Xiaomi sice před několika dny oznámila revoluční řešení, které dokáže prodloužit pracovní dobu mobilních zařízení o 10-15 procent. Bohužel bude omezena pouze na produkty této čínské značky a nebude zahrnovat telefony jiných společností. Nejnovější technologie vyvinuté společnostmi Samsung a IBM možná toto omezení překonají a prodlouží dobu provozu zařízení bez ohledu na jejich výrobce.

Obě společnosti spolupracují na přelomové konstrukci polovodičů s názvem Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor (VTFET). Jedná se o novou architekturu čipu, která snižuje spotřebu energie až o 85 % ve srovnání s běžnou technologií FinFET. Umožňuje také zdvojnásobit výkon čipu.

• 

Technologie FinFET spočívá ve vrstvení tranzistorů na povrch křemíkové destičky. Nová průlomová konstrukce VTFET zatím zahrnuje uspořádání tranzistorů ve vrstvách kolmých k destičce. Výsledkem je vertikální tok proudu, který obchází některá stávající omezení, jako je velikost kontaktů a délka hradla tranzistoru. To může vést k výraznému zvýšení účinnosti nebo snížení množství spotřebované energie.

Nová technologie by mohla přinést řadu výhod, díky nimž by baterie chytrých telefonů mohly fungovat téměř týden bez nutnosti dobíjení. Mohla by také výrazně snížit množství energie spotřebované na těžbu kryptoměn, a přispět tak ke snížení klimatických změn.

• 

Tento průlom by také mohl způsobit revoluci v odvětví internetu věcí tím, že sníží potřebu energie. Chytrá zařízení, jako jsou senzory, tak mohou pracovat v rozmanitějším prostředí.

Zatím je však příliš brzy na to, aby bylo možné říci, kdy se technologie VTFET začne široce používat.

Zdroj: research.ibm.com